罗伯特·诺伊斯，1927年12月12日出生于美国依阿华州的柏林顿。1949年获格林尼学院文学学士学位，1953年又获麻省理工学院博士学位。诺伊斯曾在肖克莱半导体研究所工作过，他在半导体器件物理学方面共获得过16项专利。1958年诺伊斯成功制成第一块集成电路，并在1959年7月申请了专利。与基尔比相比，诺伊斯的独到之处是创造性地在氧化膜上制作出铝条连线，使元件和导线合成一体，从而为半导体集成电路的平面制作工艺、为工业大批量生产奠定了坚实的基础。
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罗伯特·诺伊斯，1927年12月12日出生于美国依阿华州的柏林顿。1949年获格林尼学院文学学士学位，1953年又获麻省理工学院博士学位。诺伊斯曾在肖克莱半导体研究所工作过，他在半导体器件物理学方面共获得过16项专利。1958年诺伊斯成功制成第一块集成电路，并在1959年7月申请了专利。与基尔比相比，诺伊斯的独到之处是创造性地在氧化膜上制作出铝条连线，使元件和导线合成一体，从而为半导体集成电路的平面制作工艺、为工业大批量生产奠定了坚实的基础。
