【IT168 专稿】日前，英特尔公司宣布在基础晶体管设计方面取得了40年来最重大的突破：该公司采用两种完全不同以往的晶体管材料来构建45纳米晶体管的绝缘“墙”和切换“门”，使其能够继续创造处理器计算速度的新纪录，并将晶体管的漏电量减少了10多倍。在下一代英特尔®酷睿™2双核、四核以及英特尔®至强®系列多核处理器中，将置入数以亿计的这种微观晶体管或开关。
按计划，英特尔将在2007年下半年交付投产45纳米处理器。英特尔公司透露，目前已有五种早期版本的产品在运行，这是公司计划中的15款45纳米处理器产品的第一批。面向五大不同计算机细分市场的早期45纳米处理器版本，正在运行Windows* Vista*, Mac OS X*, Windows* XP 和 Linux等操作系统以及其它应用程序。
晶体管栅漏电与不断变薄的氧化硅栅介质有关，这一点已经被业界视为过去10年来摩尔定律面临的最大技术挑战之一。为解决这一棘手问题，英特尔公司在栅介质中采用厚度更大的铪基高-k材料取代氧化硅据介绍，同时采用新型金属材料组合作为晶体管栅电极。“采用高-k栅介质和金属栅极材料，是自上世纪60年代晚期推出多晶硅栅极金属氧化物半导体（MOS）晶体管以来，晶体管技术领域里最重大的突破，”英特尔公司联合创始人戈登·摩尔（Gordon Moore）指出。
据悉，英特尔已经开发出首批可实用的45纳米制程Penryn处理器样品，它采用了全新的微体系架构，拥有更强的性能和电源管理能力，更高的核心速度以及高达12兆字节的缓存。目前其产品数量超过15种，涵盖台式机、笔记本、工作站和企业版领域。
